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六九一二:GaN固態陣列與磁控管是現階段高功率微波的兩條主要技術路線

六九一二(301592)07月27日在投資者關系平臺上答復投資者關心的問題。

投資者:董秘您好,據媒體報道,美國軍用高功率微波武器制造商Epirus采用固態氮化鎵(GaN)半導體技術,一定程度上實現了對傳統的磁控管技術路線的迭代。請問公司的高功率微波技術達到何種水平?六九一二董秘:GaN固態陣列與磁控管是現階段高功率微波的兩條主要技術路線,二者各有特點,面向不同的應用需求,更多是互補關系而非簡單替代。磁控管屬于電真空器件,單管即可實現吉瓦級高峰值功率輸出,具有系統鏈路簡潔、工程實現成熟、效費比高等優勢,但波形和脈寬的可調范圍相對有限,波束轉向一般依賴機械轉臺。GaN固態陣列通過大量功放單元功率合成輸出,采用相控陣電控掃描,可實現波束微秒級捷變,多目標響應速度快;同時也面臨設備造價較高、通道合成存在損耗、長時間工作散熱和供電負荷壓力大等工程難點。實際應用中,兩種技術路線通常根據具體需求搭配使用、相互補充。 公司在高功率磁控管技術方面擁有多年的技術積累和自主知識產權,同時持續跟蹤包括GaN固態陣列在內的國外各類技術路線發展動態。公司產品布局及經營情況請以公司在指定信息披露媒體披露的定期報告及相關公告為準。感謝您的關注!

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